بررسی و تحلیل جهت طراحی یک پنل فتوولتائیک با استفاده از فناوری نیم رسانای اکسید-فلز مکمل با کارکرد ولتاژ حداکثر
کلمات کلیدی:
فناوری نیمه هادی اکسید-فلزی تکمیلی, دستگاه فتوولتائیک با نور پشت, حذف موضعی بستر, فرآیند سیستم های میکرو الکترومکانیکیچکیده
در این تحقیق و مقاله، از یک مرحله حذف بستر موضعی برای ساخت یک پنل کوچک با فناوری نیم رسانای اکسید-فلز مکمل فتوولتائیک با نور پشتی مناسب برای کاربردهای ولتاژ بالا و توان کم استفاده شده است. حذف بستر موضعی را می توان با ایجاد یک شکاف فیزیکی 50 میکرومتری بین سلول های فتوولتائیک تراشه ای برای جداسازی الکتریکی، در حالی که نیاز به زمان بر بودن مراحل انتخاب و مکان را ایجاد کرد، ارتقا یافته فناوری ماژول چند تراشه در نظر گرفت. اثبات مفهوم ماژول فتوولتائیک، ولتاژ مدار باز حداکثر و جریان اتصال کوتاه در مقیاس میکروآمپر را در یک ضریب شکل کوچک ) 3.13 ولت بر میلی متر مربع( به دست آورد. ساخت این مینی ماژول فتوولتائیک بر اساس فرآیندهای استاندارد تولید/بستهبندی میکروالکترونیک است، در نتیجه یکپارچگی آسان با سایر میکروالکترونیکها برای سیستمهای خود تغذیه را تضمین میکند.
