در این مقاله طراحی و تحلیل و مدل سازی ترانزیستور تونلی شاتکی با استفاده از TiO۲ برای دی الکتریک گیت انجام شده است. وجود یک تونلینگ شاتکی در رابط کانال سورس و جریان درین به دلیل تونل سازی پیشرفته از یک باند شارژ به باند دیگر در ناحیه رابط تقاطع ها باعث بهبود قابل توجه ترانزیستور میشود. با این کار هدایت و در نتیجه میزان تونل زنی افزایش میابد.در نهایت باعث افزایش کارایی ترانزیستور میشود. مدل مورد استفاده در طراحی ترانزیستور بر مبنای پتانسیل سطح در امتداد کانال با استفاده از معادله پواسون دو بعدی با شرایط مرزی مناسب طراحی کوتاهترین فاصله بین سورس / کانال و جریان سورس درین استوار می باشد. با توجه به افزایش میزان تونل زنی، که این امر موجب کاهش جریان میشود، ترانزیستور پیشنهادی مدلی برای مکمل های فلزی اکسیدهای نیمه هادی و (CMOS) است که شبیه ساز این مدل را با سیلواکو انجام دادیم.