نواندیشان کهربا 2322-3723 44 04 2024 9 15 بررسی و تحلیل جهت طراحی یک پنل فتوولتائیک با استفاده از فناوری نیم رسانای اکسید-فلز مکمل با کارکرد ولتاژ حداکثر 49 57 FA امیر شاطری موسسه آموزش عالی آپادانا شیراز KNO-1102-4404 Journal Article 2024 9 15 در این تحقیق و مقاله، از یک مرحله حذف بستر موضعی برای ساخت یک پنل کوچک با فناوری نیم رسانای اکسید-فلز مکمل فتوولتائیک با نور پشتی مناسب برای کاربردهای ولتاژ بالا و توان کم استفاده شده است. حذف بستر موضعی را می توان با ایجاد یک شکاف فیزیکی 50 میکرومتری بین سلول های فتوولتائیک تراشه ای برای جداسازی الکتریکی، در حالی که نیاز به زمان بر بودن مراحل انتخاب و مکان را ایجاد کرد، ارتقا یافته فناوری ماژول چند تراشه در نظر گرفت. اثبات مفهوم ماژول فتوولتائیک، ولتاژ مدار باز حداکثر و جریان اتصال کوتاه در مقیاس میکروآمپر را در یک ضریب شکل کوچک ) 3.13 ولت بر میلی متر مربع( به دست آورد. ساخت این مینی ماژول فتوولتائیک بر اساس فرآیندهای استاندارد تولید/بستهبندی میکروالکترونیک است، در نتیجه یکپارچگی آسان با سایر میکروالکترونیکها برای سیستمهای خود تغذیه را تضمین میکند. https://kahrobaonline.ir/wp-content/uploads/edd/2024/09/khr-4404.pdf